Уже более десятилетия сначала ученые, а затем и некоторые индустриальные эксперты высказывают мысль, что рентгеновское излучение должно сменить ультрафиолет в производстве микропроцессоров. Разрешение, с которым можно нанести электронную схему на полупроводниковый кристалл (этот процесс называется фотолитографией), определяется длиной волны передающего изображение излучения. В этом отношении использование ультрафиолета уже достигло своего физического предела — 0,5 микрона. Нового скачка в увеличении степени интеграции элементов на кристалле, а, следовательно, быстродействия и объема памяти чипов, можно добиться с помощью рентгеновских или электронных пучков. Степень разрешения в 0,18 микрона, которую можно получить рентгенолитографией, позволит, например, увеличить емкость чипов памяти в 60 раз (до 1 ГБт) по сравнению с лучшими из современных коммерчески доступных чипов.
Уже более десятилетия сначала ученые, а затем и некоторые индустриальные эксперты высказывают мысль, что рентгеновское излучение должно сменить ультрафиолет в производстве микропроцессоров. Разрешение, с которым можно нанести электронную схему на полупроводниковый кристалл (этот процесс называется фотолитографией), определяется длиной волны передающего изображение излучения. В этом отношении использование ультрафиолета уже достигло своего физического предела — 0,5 микрона. Нового скачка в увеличении степени интеграции элементов на кристалле, а, следовательно, быстродействия и объема памяти чипов, можно добиться с помощью рентгеновских или электронных пучков. Степень разрешения в 0,18 микрона, которую можно получить рентгенолитографией, позволит, например, увеличить емкость чипов памяти в 60 раз (до 1 ГБт) по сравнению с лучшими из современных коммерчески доступных чипов.