«Элемент» вложит 4,4 млрд руб. в производство транзисторов
Совместное предприятие «Ростеха» и АФК «Система» — ГК «Элемент» — планирует инвестировать 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Проект хотят реализовать на площадке воронежской структуры группы — АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (НИИЭТ). Об этом «Ъ» сообщили представители «Элемента».
Фото: Олег Харсеев, Коммерсантъ
Фото: Олег Харсеев, Коммерсантъ
Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-миллиметровом эквиваленте в год. Изначально речь шла о 5,4 тыс. пластин и о 5,5 млрд руб. вложений.
В «Элементе» считают, что реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов с использованием нитрида галлия и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.
Проект реализуется с использованием льготного финансирования в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Оператором программы КИП является Фонд развития промышленности.
Подробнее о проекте — в публикации «Ъ-Черноземье».