«Элемент» вложит 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов

Крупнейший разработчик и производитель микроэлектроники в России группа компаний «Элемент» инвестирует 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы — НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже.

По словам представителя «Элемента», реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов с использованием нитрида галлия и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.

Нитрид галлия — современный полупроводниковый материал, который благодаря своим свойствам позволяет создавать транзисторы, работающие при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем приборы на основе кремния. Это делает его одним из самых привлекательных материалов для использования в таких устройствах, как блоки питания, в том числе серверные, а также для СВЧ-применения, в частности в модулях усилителя радиосигнала в телекоммуникационном оборудовании.

Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-миллиметровом эквиваленте в год.

Проект реализуется с использованием льготного финансирования в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Оператор программы КИП является Фонд развития промышленности.

Выбор НИИЭТ в качестве площадки для размещения кристального производства представитель «Элемента» объясняет наличием у предприятия соответствующих заделов в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия.