Американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять оборудование для завода «Крокус наноэлектроника» (СП французской Crocus Technology и «Роснано»). Оборудование отнесено к технологиям двойного назначения и подпало под санкции США. Глава «Роснано» Анатолий Чубайс заверил ИТАР-ТАСС, что американцев заменят китайские поставщики.
Фото: Евгений Курсков, Коммерсантъ
Американская Applied Materials должна была поставить часть оборудования заводу «Крокус наноэлектроника», где должны производиться микросхемы магниторезистивной оперативной памяти, но отказалась, сообщил ИТАР-ТАСС председатель правления «Роснано» Анатолий Чубайс. Причиной стало отнесение оборудования к технологиям двойного назначения, подпавшим под запрет в условиях санкционного режима, пояснил господин Чубайс. По словам главы «Роснано», «Крокус наноэлектроника» нашел другого поставщика в Китае. «Это пример, когда мы сумели быстро найти решение и пуск завода не был сорван»,— заключил глава «Роснано» (цитата ИТАР-ТАСС).
Applied Materials основана в 1967 году в американском штате Делавэр. Корпорация поставляет оборудование и софт для производства полупроводников, дисплеев с плоским экраном, солнечных батарей. Выручка компании в 2013 году составила $7,5 млрд. Основные продажи пришлись на Тайвань ($2,64 млрд), тогда как продажи в Европе составили лишь 9% общей выручки, или $680 млн. На момент публикации представитель Applied Materials не ответил на запрос “Ъ”.
«Крокус наноэлектроника» — это СП французской Crocus Technology и «Роснано», которым принадлежит 51% и 49% долей соответственно. Инвестиции в проект превышают €200 млн, в том числе со стороны «Роснано» — €100 млн. Кроме того, «Роснано» совместно с венчурными фондами CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension и Sofinnova Ventures вложили $55 млн в уставный капитал Crocus. Первая очередь завода по производству MRAM-чипов стартовала в октябре 2013 года, сейчас идет завершающий этап развития предприятия, пояснил господин Чубайс.
Планировалось, что «Крокус наноэлектроника» будет выполнять функции по нанесению дополнительных слоев для создания ячеек памяти на 200- и 300-миллиметровые пластины, а к концу 2014 года его производительность составит 500 пластин в неделю, передавал «Интерфакс». Магниторезистивная память (MRAM, magnetoresistive random access memory) — это технология цифровой памяти, способная сохранять данные при отключении питания. Она сочетает преимущества двух технологий — DRAM (низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи) и Flash (энергонезависимость). MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия и защищенной памяти. В прошлом году «Роснано» ожидало, что объем рынка применений продукции «Крокус наноэлектроники» в 2014 году превысит $8 млрд.