Как сообщило 9 августат агентство РИА «Новости», лауреат Нобелевской премии Жорес Алферов и его исследовательская группа вновь добились революционных результатов в области лазерной физики. Российские ученые закончили работу "Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе". Эта работа на днях была отмечена Государственной премией.
По словам автора исследования, ученые доказали, что вырастить кристалл с кусочками другого материала внутри можно без дефектов. Такой опыт считался до недавнего времени невозможным.Если раньше ученые, выращивая кристаллы для лазеров, вынуждены были полностью управлять этим процессом, контролируя каждую его стадию, то теперь ситуация иная - нужная структура растет сама, отметил господин Алферов. Это, по его мнению, позволяет радикально улучшить свойства полупроводниковых приборов, температурную стабильность лазерных диодов, уменьшить пороговый ток, на котором начинается генерация.
Новая работа позволяет, в частности, разработать оптоэлектронные приборы новых поколений.